Kurzfassung

Rekristallisiertes Siliciumcarbid(RSiC) ist ein poröser SiC-Werkstoff mit definierter Porengröße und enger Porenverteilung. Hohe Härte, hohe thermische Beständigkeit, hohe chemische Beständigkeit, Halbleitereigenschaften sowie gute Regenerationsverhalten zeichnen das Material aus.

Entwicklung von gestuften Gefügestrukturen:
Durch gestufte Gefügestrukturen sind hohe Fitrationswirkungsgrade bei geringem Druck und Druckverlust möglich.
Wesentliche Vorteile von gestuften Gefügestrukturen sind hohe...Rekristallisiertes Siliciumcarbid(RSiC) ist ein poröser SiC-Werkstoff mit definierter Porengröße und enger Porenverteilung. Hohe Härte, hohe thermische Beständigkeit, hohe chemische Beständigkeit, Halbleitereigenschaften sowie gute Regenerationsverhalten zeichnen das Material aus.

Entwicklung von gestuften Gefügestrukturen:
Durch gestufte Gefügestrukturen sind hohe Fitrationswirkungsgrade bei geringem Druck und Druckverlust möglich.
Wesentliche Vorteile von gestuften Gefügestrukturen sind hohe Filtration auch im Nanobereich, geringer Druckverlust, hohe Leistung bei geringem Druck, hohe Festigkeit, hohe Durchflußrate bei hoher Filtrationseffizient, partielles Beschichten der grobporigen Einlassschicht.

Entwicklung des Einbrandverfahren:
Aus wirtschaftlichen Gründen wurde das Einbrandverfahren für die beschriebene gestufte Gefügestruktur entwickelt.
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