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Atomic Layer Deposition of SiO2 for AlGaN/GaN MOS-HFETs

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. Bd. 33. H. 9. 2012 S. 1240-1242

Erscheinungsjahr: 2012

Publikationstyp: Zeitschriftenaufsatz

GeprüftBibliothek

Autoren


Kirkpatrick, Casey J. (Autor)
Lee, Bongmook (Autor)
Suri, Rahul (Autor)
Yang, Xiangyu (Autor)
Misra, Veena (Autor)

Klassifikation


DDC Sachgruppe:
Medizin